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GermanyPD20010-E
元器件型号详细信息
原厂型号
PD20010-E
摘要
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
详情
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF（成形引线）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
LDMOS
频率
2GHz
增益
11dB
电压 - 测试
13.6 V
额定电流（安培）
5A
噪声系数
-
电流 - 测试
150 mA
功率 - 输出
10W
电压 - 额定
40 V
封装/外壳
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装
PowerSO-10RF（成形引线）
基本产品编号
PD20010
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
PD20010-E-ND
497-13044-5
PD20010E
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/STMicroelectronics PD20010-E
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产品培训模块
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PCN 组装/来源
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PCN 封装
1(Material Barrier Bag 17/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PD20010-E)
价格
-
替代型号
型号 : ARF1505
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
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型号 : MRFE8VP8600HSR5
制造商 : NXP USA Inc.
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制造商 : Ampleon USA Inc.
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