English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAUIRFR2607ZTRL
元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRFR2607ZTRL
摘要
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 75 V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1440 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
AUIRFR2607
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRFR2607ZTRL
相关文档
规格书
1(AUIRFR2607Z)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL 31/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRFR2607Z)
价格
-
替代型号
型号 : IPD50N08S413ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,990
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 直接
库存 : 4,990
单价. : ¥12.88000
替代类型. : 直接
型号 : DMNH6021SK3Q-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
型号 : SQD30N05-20L_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,000
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
库存 : 2,000
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似
型号 : STD45NF75T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 34,977
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
库存 : 34,977
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似