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GermanyFGA25S125P-SN00337
元器件型号详细信息
原厂型号
FGA25S125P-SN00337
摘要
IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN
详情
IGBT 沟槽型场截止 1250 V 50 A 250 W 通孔 TO-3PN
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1250 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.35V @ 15V，25A
功率 - 最大值
250 W
开关能量
1.09mJ（开），580µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
204 nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/502ns
测试条件
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
基本产品编号
FGA25S125
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FGA25S125P_SN00337-ND
FGA25S125P_SN00337
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA25S125P-SN00337
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规格书
1(FGA25S125P)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold compound change 17/Sep/2019)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FGA25S125P)
价格
-
替代型号
型号 : STGW25H120F2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥61.85000
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型号 : STGW25M120DF3
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库存 : 377
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型号 : STGWA25H120DF2
制造商 : STMicroelectronics
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型号 : STGWA25H120F2
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