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元器件型号详细信息
原厂型号
IPTC012N08NM5ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 40A（Ta），396A（Tc） 3.8W（Ta），375W（Tc） PG-HDSOP-16-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta），396A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
219 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16000 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2
封装/外壳
16-PowerSOP 模块
基本产品编号
IPTC012N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP005447133
448-IPTC012N08NM5ATMA1TR
448-IPTC012N08NM5ATMA1DKR
448-IPTC012N08NM5ATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPTC012N08NM5ATMA1
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规格书
1(IPTC012N08NM5)
视频文件
1(OptiMOS™ TOLT Power MOSFET Packages | Datasheet Preview)
特色产品
1(OptiMOS™ TOLT Power MOSFET Packages)
EDA 模型
1(IPTC012N08NM5ATMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 1800
单价: $36.25651
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1800
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最小包装数量: 1800
数量: 500
单价: $41.62784
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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单价: $63.91
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPTC011N08NM5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥63.91000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥63.91000
替代类型. : 类似