English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFB3256PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFB3256PBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6600 pF @ 48 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3256
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFIRFIRFB3256PBF
2156-IRFB3256PBF
SP001577830
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB3256PBF
相关文档
规格书
1(IRFB3256PBF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Sep/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
仿真模型
1(IRFB3256 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPP032N06N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,432
单价. : ¥19.64000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 3,432
单价. : ¥19.64000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : PSMN3R3-60PLQ
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥26.71000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥26.71000
替代类型. : 类似
型号 : AOT264L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.16672
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.16672
替代类型. : 类似