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GermanyBUK9E2R3-40E,127
元器件型号详细信息
原厂型号
BUK9E2R3-40E,127
摘要
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详情
通孔 N 通道 40 V 120A（Tc） 293W（Tc） I2PAK
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
87.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
293W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
BUK9
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BUK9E2R340E127
934066413127
568-9871-5
NEXNXPBUK9E2R3-40E,127
2156-BUK9E2R3-40E127-NX
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. BUK9E2R3-40E,127
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规格书
1(BUK9E2R3-40E)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUK9E2R3-40E)
价格
-
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