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GermanyBSH108,215
元器件型号详细信息
原厂型号
BSH108,215
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.9A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
120 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830mW（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BSH108
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
568-6216-1
568-6216-2
1727-4925-6
934055571215
BSH108 T/R
BSH108,215-ND
568-6216-1-ND
1727-4925-2
1727-4925-1
BSH108215
BSH108 T/R-ND
568-6216-6
568-6216-2-ND
568-6216-6-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BSH108,215
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