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GermanyBSM75GAR120DN2HOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM75GAR120DN2HOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 30A 235W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 单路 1200 V 30 A 235 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
功率 - 最大值
235 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，15A
电流 - 集电极截止（最大值）
400 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM75GAR120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFBSM75GAR120DN2HOSA1
2156-BSM75GAR120DN2HOSA1
SP000100462
BSM75GAR120DN2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM75GAR120DN2HOSA1
相关文档
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 12/Mar/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Substrate Add 17/Aug/2018)
价格
-
替代型号
型号 : DF150R12RT4HOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10
单价. : ¥576.45000
替代类型. : 类似
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