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GermanyTRS4A65F,S1Q
元器件型号详细信息
原厂型号
TRS4A65F,S1Q
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
详情
二极管 650 V 4A 通孔 TO-220F-2L
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.6 V @ 4 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
20 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
16pF @ 650V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2 整包
供应商器件封装
TO-220F-2L
工作温度 - 结
175°C（最大）
基本产品编号
TRS4A65
相关信息
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
TRS4A65F,S1Q(S2
264-TRS4A65FS1Q
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Toshiba Semiconductor and Storage TRS4A65F,S1Q
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