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GermanyZMY8V2-GS18
元器件型号详细信息
原厂型号
ZMY8V2-GS18
摘要
DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB
详情
二极管 - 齐纳 8.2 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
8.2 V
容差
±5%
功率 - 最大值
1 W
阻抗（最大值）(Zzt)
2 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 6 V
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装
DO-213AB
基本产品编号
ZMY8V2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
ZMY8V2-GS18GITR
ZMY8V2-GS18-ND
ZMY8V2-GS18GIDKR
ZMY8V2-GS18GICT
ZMY8V2GS18
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY8V2-GS18
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规格书
1(ZMY3V9 thru ZMY100)
PCN 组装/来源
1(Wafer Source 12/Nov/2021)
HTML 规格书
1(ZMY3V9 thru ZMY100)
价格
数量: 5000
单价: $0.92871
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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数量: 2000
单价: $0.95657
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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