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GermanyDMN90H8D5HCT
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN90H8D5HCT
摘要
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
详情
通孔 N 通道 900 V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMN90
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN90H8D5HCT-ND
DMN90H8D5HCTDI
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT
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规格书
1(DMN90H8D5HCT)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 02/Nov/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)
价格
数量: 10
单价: $7.974
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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