English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPB60R385CPATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB60R385CPATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CP
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
385 毫欧 @ 5.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 340µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB60R385CPCT
IPB60R385CPDKR
SP000228365
IPB60R385CPATMA1-ND
IPB60R385CPATMA1CT
IPB60R385CPATMA1TR
IPB60R385CP-ND
IPB60R385CPTR-ND
IPB60R385CPDKR-ND
IPB60R385CPCT-ND
IPB60R385CP
IPB60R385CPATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1
相关文档
规格书
1(IPB60R385CP)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Power Factor Correction)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 14/Jun/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPB60R385CP)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB60R360P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥16.77000
替代类型. : 直接
型号 : STB37N60DM2AG
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥52.87000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥52.87000
替代类型. : 直接
型号 : STB14NK60ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
型号 : STB13N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,166
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似
库存 : 5,166
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似
型号 : SIHB12N60ET5-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥9.78733
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥9.78733
替代类型. : 类似
型号 : STB13NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥40.78000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥40.78000
替代类型. : 类似