元器件型号详细信息

原厂型号
SPD03N60S5BTMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
38W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SPD03N

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SPD03N60S5INDKR
SPD03N60S5INTR
SPD03N60S5BTMA1CT
SPD03N60S5XT
SPD03N60S5-ND
SPD03N60S5INCT-ND
SP000083076
SP000307393
2156-SPD03N60S5BTMA1-ITTR-ND
2156-SPD03N60S5BTMA1
SPD03N60S5BTMA1TR
SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INTR-ND
SPD03N60S5
IFEINFSPD03N60S5BTMA1
SPD03N60S5INDKR-ND
SPD03N60S5BTMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SPD03N60S5BTMA1

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价格

-

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