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GermanyBSP373L6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP373L6327HTSA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP373L6327INCT-ND
BSP373 L6327-ND
BSP373L6327INCT
BSP373L6327HTSA1TR
BSP373L6327HTSA1DKR
BSP373L6327INDKR-ND
BSP373L6327
BSP373L6327XT
BSP373 L6327
BSP373L6327HTSA1CT
2156-BSP373L6327HTSA1-ITTR
SP000087065
BSP373L6327INTR
INFINFBSP373L6327HTSA1
BSP373L6327INTR-ND
BSP373L6327INDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP373L6327HTSA1
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规格书
1(BSP373)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 19/Mar/2013)
HTML 规格书
1(BSP373)
价格
-
替代型号
型号 : BSP373NH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 12,018
单价. : ¥7.63000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥7.63000
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型号 : PMT280ENEAX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,131
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 类似
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型号 : STN2NF10
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,770
单价. : ¥9.70000
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