PHD18NQ10T,118

元器件型号详细信息

原厂型号

PHD18NQ10T,118

摘要

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK

原厂/品牌

NXP USA Inc.

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

90 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

21 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

633 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

79W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DPAK

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

PHD18

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PHD18NQ10T,118

价格

-

替代型号

型号 : FDD850N10L

制造商 : onsemi
库存 : 15,005
单价. : ¥9.38000
替代类型. : 类似

型号 : FQD19N10TM

制造商 : onsemi
库存 : 1,701
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似

型号 : NTD6416ANT4G

制造商 : onsemi
库存 : 1,200
单价. : ¥9.94000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR3910TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 122
单价. : ¥10.65000
替代类型. : 类似

型号 : ZXMN10A09KTC

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,377
单价. : ¥14.23000
替代类型. : 类似

型号 : FDD3672

制造商 : onsemi
库存 : 580
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似

型号 : STD10NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : DMN10H100SK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 7,475
单价. : ¥6.28000
替代类型. : 类似

型号 : STD15NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR3910TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 27,862
单价. : ¥10.65000
替代类型. : 类似

型号 : NTD6416ANLT4G

制造商 : onsemi
库存 : 7,490
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 类似

型号 : STD25NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 类似

UMFT201XB-NC FR104-AP SIT3372AI-1B2-33NX90.000000 HMTSW-209-22-S-Q-200-RA DL66R-16-10S8C019

PHD18NQ10T,118

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号