元器件型号详细信息

原厂型号
TK090N65Z,S1F
摘要
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
详情
通孔 N 通道 650 V 30A(Ta) 230W(Tc) TO-247
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSVI
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
90 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
47 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2780 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK090N65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK090N65Z,S1F

相关文档

规格书
1(TK090N65Z)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(TK090N65Z,S1F by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $25.27833
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $26.60877
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $31.55048
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.0626
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.233
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $50.4
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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