元器件型号详细信息

原厂型号
FDC642P-F085
摘要
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4A(Ta) 1.2W(Ta) SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
640 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
FDC642

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDC642P_F085DKR
FDC642P_F085TR-ND
FDC642P_F085CT
FDC642P-F085DKR
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085P
FDC642P_F085DKR-ND
FDC642P_F085
FDC642P_F085-ND
FDC642P-F085CT
FDC642P-F085TR
FDC642P_F085CT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDC642P-F085

相关文档

规格书
1(FDC642P-F085)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Trsf 7/Mar/2019)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FDC642P-F085)
EDA 模型
1(FDC642P-F085 by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)

价格

-

替代型号

型号 : SI3443DDV-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 直接
型号 : BSL211SPH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,890
单价. : ¥5.49000
替代类型. : 类似
型号 : PMN48XP,125
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 类似
型号 : PMV48XPAR
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 7,909
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似
型号 : PMN48XP,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 类似