元器件型号详细信息

原厂型号
FDC6020C
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
详情
MOSFET - 阵列 20V 5.9A,4.2A 1.2W 表面贴装型 SuperSOT™-6 FLMP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A,4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧 @ 5.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
677pF @ 10V
功率 - 最大值
1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP
供应商器件封装
SuperSOT™-6 FLMP
基本产品编号
FDC6020

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDC6020CDKR
FDC6020C_NL
FDC6020C_NLTR-ND
FDC6020CCT-NDR
FDC6020C_NLCT
FDC6020C_NLCT-ND
FDC6020CTR
FDC6020CCT
FDC6020CTR-NDR
FDC6020C_NLTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDC6020C

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