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GermanyBZX55B43 A0G
元器件型号详细信息
原厂型号
BZX55B43 A0G
摘要
DIODE ZENER 43V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 43 V 500 mW ±2% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
带盒（TB）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
43 V
容差
±2%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 32 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 100 mA
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
BZX55
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
BZX55B43 A0G-ND
BZX55B43A0G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B43 A0G
相关文档
规格书
1(BZX55B2V4 - BZX5575)
环保信息
()
EDA 模型
1(BZX55B43 A0G by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : BZX55B43-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,979
单价. : ¥1.75000
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型号 : 1N5260B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 120,191
单价. : ¥1.83000
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单价. : ¥1.83000
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型号 : 1N5260B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,890
单价. : ¥1.83000
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