TSM60NB190CM2 RNG

元器件型号详细信息

原厂型号

TSM60NB190CM2 RNG

摘要

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 18A（Tc） 150.6W（Tc） TO-263（D²Pak）

原厂/品牌

Taiwan Semiconductor Corporation

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

31 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1273 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

150.6W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263（D²Pak）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

TSM60

其它名称

TSM60NB190CM2RNGCT

TSM60NB190CM2 RNGCT

TSM60NB190CM2RNGTR

TSM60NB190CM2 RNGDKR-ND

TSM60NB190CM2 RNGDKR

TSM60NB190CM2 RNGTR

TSM60NB190CM2RNGDKR

TSM60NB190CM2 RNGTR-ND

TSM60NB190CM2 RNGCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG

价格

数量: 2400

单价: $34.42132
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2400

替代型号

型号 : R6020ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 14,815
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似

型号 : SPB20N60C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,090
单价. : ¥50.08000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R190C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,626
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似

型号 : AOB20S60L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 163
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R165CPATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,999
单价. : ¥47.30000
替代类型. : 类似

型号 : FCB199N65S3

制造商 : onsemi
库存 : 117
单价. : ¥31.16000
替代类型. : 类似

型号 : STB28NM60ND

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 427
单价. : ¥67.26000
替代类型. : 类似

型号 : STB24NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 13
单价. : ¥52.23000
替代类型. : 类似

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TSM60NB190CM2 RNG

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