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GermanyIPS110N12N3GBKMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPS110N12N3GBKMA1
摘要
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详情
通孔 N 通道 120 V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO251-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4310 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3-11
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
IPS110N12N3 G-ND
SP000674456
IPS110N12N3 G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPS110N12N3GBKMA1
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价格
-
替代型号
-