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GermanySIHG33N65E-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHG33N65E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
详情
通孔 N 通道 650 V 32.4A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
173 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4040 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG33
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHG33N65E-GE3CT
SIHG33N65E-GE3DKR-ND
SIHG33N65E-GE3TR
SIHG33N65E-GE3TR-ND
SIHG33N65E-GE3DKR
SIHG33N65E-GE3CT-ND
SIHG33N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHG33N65E-GE3TRINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3
相关文档
规格书
1(SIHG33N65E)
产品培训模块
1(High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN 封装
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
价格
数量: 500
单价: $35.50316
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
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