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GermanyDMN63D1LV-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN63D1LV-13
摘要
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
详情
MOSFET - 阵列 60V 550mA（Ta） 940mW 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
550mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.392nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 25V
功率 - 最大值
940mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
DMN63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN63D1LV-13
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规格书
1(DMN63D1LV)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(DMN63D1LV)
价格
数量: 50000
单价: $0.95414
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.99141
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最小包装数量: 10000
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单价: $1.08086
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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最小包装数量: 10000
替代型号
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