元器件型号详细信息

原厂型号
PSMN102-200Y,115
摘要
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
27 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
102 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1568 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
113W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
SC-100,SOT-669
基本产品编号
PSMN102

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

1727-5227-6
568-6544-2-ND
568-6544-1-ND
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-ND
1727-5227-1
PSMN102200Y115
568-6544-6-ND
PSMN102-200Y,115-ND
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y,115

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规格书
1(PSMN102-200Y)
PCN 组装/来源
1(Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PSMN102-200Y)

价格

数量: 10500
单价: $3.70117
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 7500
单价: $3.84575
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 3000
单价: $4.04814
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 1500
单价: $4.33731
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 500
单价: $7.2988
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.8355
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.329
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.64
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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数量: 10
单价: $11.329
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.64
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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