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GermanyIRF7665S2TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7665S2TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta），14.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
515 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET SB
封装/外壳
DirectFET™ 等距 SB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7665S2TRPBFDKR
IRF7665S2TRPBFTR
SP001570544
IRF7665S2TRPBFCT
IRF7665S2TRPBF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7665S2TRPBF
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()
HTML 规格书
1(IRF7665S2TR(1)PbF)
仿真模型
1(IRF7665S2TR1PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
-