English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDS5170N7
元器件型号详细信息
原厂型号
FDS5170N7
摘要
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 10.6A（Ta） 3W（Ta） 8-SO FLMP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 10.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2889 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO FLMP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
基本产品编号
FDS51
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-ND
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-ND
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDS5170N7
相关文档
规格书
1(FDS5170N7)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Dec/2009)
PCN 设计/规格
1(Mold Compound 27/March/2008)
HTML 规格书
1(FDS5170N7)
EDA 模型
1(FDS5170N7 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDMS5672
制造商 : onsemi
库存 : 2,809
单价. : ¥30.37000
替代类型. : 类似
库存 : 2,809
单价. : ¥30.37000
替代类型. : 类似
型号 : FDS4935BZ
制造商 : onsemi
库存 : 30,079
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
库存 : 30,079
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似