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20251130
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元器件资讯
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TSM2NB65CH X0G
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM2NB65CH X0G
摘要
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
详情
通孔 N 通道 650 V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-251(IPAK)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
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技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
390 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251(IPAK)
封装/外壳
TO-251-3 短截引线,IPak
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM2NB65CHX0G
TSM2NB65CH X0G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB65CH X0G
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Aug/2018)
价格
-
替代型号
型号 : TK2Q60D(Q)
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥7.47000
替代类型. : 类似
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