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元器件型号详细信息
原厂型号
NTHD4P02FT1G
摘要
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 2.2A（Tj） 1.1W（Tj） ChipFET™
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
最后售卖
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
155 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 10 V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
1.1W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
ChipFET™
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
基本产品编号
NTHD4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTHD4P02FT1GOSCT
2156-NTHD4P02FT1G-OS
NTHD4P02FT1GOSDKR
=NTHD4P02FT1GOSCT-ND
ONSONSNTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1GOSTR
NTHD4P02FT1G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTHD4P02FT1G
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