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GermanyIPD50P04P4L11ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD50P04P4L11ATMA1
摘要
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 40 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, OptiMOS™-P2
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD50P04P4L-11
SP000671156
IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11ATMA1CT
2156-IPD50P04P4L11ATMA1
IPD50P04P4L-11DKR
IPD50P04P4L11ATMA1DKR
IPD50P04P4L-11DKR-ND
IPD50P04P4L-11TR-ND
IPD50P04P4L11ATMA1TR
IPD50P04P4L-11TR
IPD50P04P4L-11CT-ND
INFINFIPD50P04P4L11ATMA1
IPD50P04P4L-11CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1
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EDA 模型
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仿真模型
1(OptiMOS-P2-Spice Model)
价格
数量: 2500
单价: $5.08726
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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