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GermanyUJ3C065080B3
元器件型号详细信息
原厂型号
UJ3C065080B3
摘要
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 25A（Tc） 115W（Tc） TO-263（D2Pak）
原厂/品牌
Qorvo
原厂到货时间
44 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Qorvo
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
111 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D2Pak）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
UJ3C065080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2312-UJ3C065080B3TR
2312-UJ3C065080B3CT
2312-UJ3C065080B3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Qorvo UJ3C065080B3
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规格书
1(UJ3C065080B3)
视频文件
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
环保信息
()
HTML 规格书
1(UJ3C065080B3)
价格
数量: 1600
单价: $37.08481
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $39.47059
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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