元器件型号详细信息

原厂型号
RGTH00TS65DGC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
85 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
277 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
94 nC
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/143ns
测试条件
400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
54 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGTH00

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGTH00TS65DGC11

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1(TO-247N IGBT Taping Spec)
仿真模型
1(RGTH00TS65D Spice Model)

价格

数量: 1
单价: $46.35
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : RGTH00TS65GC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 45
单价. : ¥37.76000
替代类型. : 参数等效
型号 : RGTH00TS65DGC13
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥52.47000
替代类型. : 参数等效
型号 : RGTH00TS65GC13
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥49.05000
替代类型. : 参数等效