元器件型号详细信息

原厂型号
STB20NM60-1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详情
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 192W(Tc) I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
290 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
192W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
STB20N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-5383-5
STB20NM60-1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STB20NM60-1

相关文档

规格书
1(STx20NM60(-1,FP))
HTML 规格书
1(STx20NM60(-1,FP))

价格

-

替代型号

型号 : STP20NM60
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 980
单价. : ¥50.72000
替代类型. : 直接