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GermanyTK3R2E06PL,S1X
元器件型号详细信息
原厂型号
TK3R2E06PL,S1X
摘要
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详情
通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 168W（Tc） TO-220
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
168W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
TK3R2E06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
264-TK3R2E06PLS1X
TK3R2E06PL,S1X(S
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2E06PL,S1X
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规格书
1(TK3R2E06PL)
特色产品
1(Server Solutions)
价格
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