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元器件型号详细信息
原厂型号
STGWT20H65FB
摘要
IGBT 650V 40A 168W TO3P
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 168 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
168 W
开关能量
77µJ（开），170µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/139ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
STGWT20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-15139-5
-497-15139-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGWT20H65FB
相关文档
规格书
1(STG(F)W(T)20H65FB)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
EDA 模型
1(STGWT20H65FB by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-