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GermanyL6399DTR
元器件型号详细信息
原厂型号
L6399DTR
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
1.1V，1.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
290mA，430mA
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
600 V
上升/下降时间（典型值）
75ns，35ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
L6399
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/STMicroelectronics L6399DTR
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规格书
1(L6399 Datasheet)
HTML 规格书
1(L6399 Datasheet)
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1(L6399DTR by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $8.03137
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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