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GermanyNTB004N10G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTB004N10G
摘要
MOSFET N-CH 100V 201A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 201A（Ta） 340W（Tc） D²PAK-3（TO-263-3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
201A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11900 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
340W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NTB004
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTB004N10G
相关文档
规格书
1(NTB004N10G)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021)
HTML 规格书
1(NTB004N10G)
EDA 模型
1(NTB004N10G by Ultra Librarian)
价格
数量: 2400
单价: $30.22353
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $31.38601
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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替代型号
-