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GermanyNTD4809N-35G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTD4809N-35G
摘要
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
详情
通孔 N 通道 30 V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.6A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1456 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-Pak
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
基本产品编号
NTD48
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNTD4809N-35G
2156-NTD4809N-35G-ON
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTD4809N-35G
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规格书
1(N(T,V)D4809N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 27/Jun/2014)
PCN 组装/来源
1(Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013)
HTML 规格书
1(N(T,V)D4809N)
EDA 模型
1(NTD4809N-35G by Ultra Librarian)
价格
-
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