RS1E200BNTB

元器件型号详细信息

原厂型号

RS1E200BNTB

摘要

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP

原厂/品牌

Rohm Semiconductor

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.9 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

59 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3100 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3W（Ta），25W（Tc）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-HSOP

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

RS1E

其它名称

RS1E200BNTBTR

RS1E200BNTBDKR

RS1E200BNTBCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RS1E200BNTB

价格

数量: 2500

单价: $2.56598
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $2.83144
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.5393
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.4774
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $5.843
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.6
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $2.83144
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.5393
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.4774
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $5.843
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.6
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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库存 : 4,701
单价. : ¥7.79000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,790
单价. : ¥8.35000
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型号 : BSC0906NSATMA1

制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥5.80000
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库存 : 0
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C331C393GAG5TA 1206Y0500471MDR SQT-132-02-S-6 SST308 SOT-23 3L ROHS M1672-D-3005-AL

RS1E200BNTB

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