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GermanyFDC6432SH
元器件型号详细信息
原厂型号
FDC6432SH
摘要
MOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6
详情
MOSFET - 阵列 30V，12V 2.4A，2.5A 700mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®, SyncFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V，12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A，2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6432
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDC6432SH
相关文档
规格书
1(FDC6432SH)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 设计/规格
1(Mold Compound 08/April/2008)
HTML 规格书
1(FDC6432SH)
EDA 模型
1(FDC6432SH by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTHD3100CT1G
制造商 : onsemi
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