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GermanyNTP2955G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTP2955G
摘要
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详情
通孔 P 通道 60 V 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
196 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
NTP2955
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NTP2955G-OS
NTP2955GOS
ONSONSNTP2955G
NTP2955G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTP2955G
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014)
PCN 组装/来源
1(TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013)
HTML 规格书
1(NTP2955)
EDA 模型
()
价格
-
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