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元器件型号详细信息
原厂型号
STB36NM60ND
摘要
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 29A（Tc） 190W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
80.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2785 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB36
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB36NM60ND
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规格书
1(ST(B,W)36NM60ND)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices Testing 10/May/2018)
HTML 规格书
1(ST(B,W)36NM60ND)
EDA 模型
1(STB36NM60ND by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
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