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最后更新

20250408
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IRF640NSTRLPBF

元器件型号详细信息

原厂型号
IRF640NSTRLPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
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技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRF640

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRF640NSTRLPBF-ND
SP001561810
IRF640NSTRLPBFTR
2156-IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBFCT
IRF640NSTRLPBFDKR
INFINFIRF640NSTRLPBF
Q4322190Z

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF

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PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF640N(S,L)PbF)
EDA 模型
1(IRF640NSTRLPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF640NSPBF Saber Model)

价格

数量: 5600
单价: $6.84926
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 2400
单价: $7.11269
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $7.63955
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $9.22013
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $11.7566
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $14.627
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $16.3
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $16.3
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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