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GermanyBSD316SNH6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSD316SNH6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
94 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
基本产品编号
BSD316
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSD316SNH6327XTSA1-ND
BSD316SN H6327
448-BSD316SNH6327XTSA1DKR
BSD316SN H6327-ND
448-BSD316SNH6327XTSA1CT
448-BSD316SNH6327XTSA1TR
SP000917668
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSD316SNH6327XTSA1
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EDA 模型
1(BSD316SNH6327XTSA1 by SnapEDA)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 75000
单价: $0.60364
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
型号 : BSD316SNL6327XT
制造商 : Infineon Technologies
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替代类型. : 参数等效
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