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20250803
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元器件资讯
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FQPF33N10
元器件型号详细信息
原厂型号
FQPF33N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
详情
通孔 N 通道 100 V 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
52 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
41W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FQPF3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQPF33N10
相关文档
规格书
1(FQPF33N10 Datasheet)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQPF33N10 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $8.9306
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.114
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.4
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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