元器件型号详细信息

原厂型号
FDC6322C
摘要
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
详情
MOSFET - 阵列 25V 220mA,460mA 700mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA,460mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6322

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDC6322C

相关文档

规格书
1(FDC6322C)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 设计/规格
1(Mold Compound 08/April/2008)
EDA 模型
1(FDC6322C by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : NTZD3155CT1G
制造商 : onsemi
库存 : 40,330
单价. : ¥3.32000
替代类型. : 类似