TPN2R805PL,L1Q

元器件型号详细信息

原厂型号

TPN2R805PL,L1Q

摘要

MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON

详情

表面贴装型 N 通道 45 V 139A（Ta），80A（Tc） 2.67W（Ta），104W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）

原厂/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

U-MOSIX-H

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

45 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

139A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.8 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 300µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3200 pF @ 22.5 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.67W（Ta），104W（Tc）

工作温度

175°C

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-TSON Advance（3.1x3.1）

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

TPN2R805

其它名称

264-TPN2R805PL,L1QCT

264-TPN2R805PL,L1QDKR

264-TPN2R805PL,L1QTR

TPN2R805PLL1Q-ND

TPN2R805PLL1Q

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q

价格

数量: 25000

单价: $2.6222
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 10000

单价: $2.6912
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $2.79471
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $3.00173
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.31225
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.1403
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.2374
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.829
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $3.00173
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.31225
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.1403
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.2374
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.829
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

TPN2R805PL,L1Q

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