IPD640N06LGBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD640N06LGBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

64 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 16µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

13 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

470 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

47W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD640

其它名称

IPD640N06LGINDKR

IPD640N06LGINTR

IPD640N06LGINCT-ND

IPD640N06LGBTMA1CT

IPD640N06L G

IPD640N06LGBTMA1TR

IPD640N06LGDKEIN

IPD640N06LGINCT

IPD640N06LGINDKR-ND

SP000443766

IPD640N06L G-ND

IPD640N06LGBTMA1DKR

IPD640N06LGINTR-ND

IPD640N06LGDKEIN-ND

SP000203939

IPD640N06LGXT

IPD640N06LG

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD640N06LGBTMA1

价格

-

替代型号

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库存 : 0
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型号 : STD20NF06LT4

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单价. : ¥12.32000
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制造商 : onsemi
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单价. : ¥5.09000
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