English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNVMFS6H848NWFT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMFS6H848NWFT1G
摘要
MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
详情
表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 80 V 13A（Ta），57A（Tc） 3.7W（Ta），73W（Tc） 5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1180 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），73W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号
NVMFS6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVMFS6H848NWFT1G
相关文档
规格书
1(NVMFS6H848N)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021)
HTML 规格书
1(NVMFS6H848N)
价格
数量: 10500
单价: $4.6822
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
数量: 7500
单价: $4.8651
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
数量: 3000
单价: $5.12115
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
数量: 1500
单价: $5.48696
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
替代型号
-