元器件型号详细信息

原厂型号
RGTV80TS65GC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
78 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值
234 W
开关能量
1.02mJ(开),710µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
81 nC
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/113ns
测试条件
400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

846-RGTV80TS65GC11TR-ND
846-RGTV80TS65GC11TR
846-RGTV80TS65GC11

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGTV80TS65GC11

相关文档

规格书
1(RGTV80TS65GC11)
产品培训模块
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价格

数量: 1000
单价: $23.77721
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $27.89224
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $32.765
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $39.986
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $44.52
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : RGTV80TS65DGC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 450
单价. : ¥50.96000
替代类型. : 参数等效