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元器件型号详细信息
原厂型号
BSM180D12P2E002
摘要
1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 204A（Tc） 1360W（Tc） 底座安装 模块
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
204A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
18000pF @ 10V
功率 - 最大值
1360W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM180
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor BSM180D12P2E002
相关文档
规格书
1(BSM180D12P2E002)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
视频文件
()
特色产品
1(SiC Schottky Barrier Diodes)
HTML 规格书
1(BSM180D12P2E002)
价格
数量: 1
单价: $6453.47
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
-